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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
総合得点
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
55
周辺 49% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
10.9
9.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
7.4
7.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
8500
周辺 2.26 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
55
読み出し速度、GB/s
10.9
9.3
書き込み速度、GB/秒
7.1
7.4
メモリ帯域幅、mbps
8500
19200
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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