RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 55
    周辺 49% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.9 left arrow 9.3
    テスト平均値
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.4 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 55
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 9.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 7.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1668 left arrow 2078

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB RAMの比較

SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
メモリRAM