RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2753
2925
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link