RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
41
Около -78% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.5
Скорость записи, Гб/сек
10.7
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2621
3260
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link