RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
79
Около -155% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,468.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
79
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,061.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,468.1
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
422
3318
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Сравнения RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link