RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Сравнить
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
79
Около -126% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.0
1,468.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
79
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,061.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,468.1
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
422
2559
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Сравнения RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link