Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB

-->

Средняя оценка

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Причины выбрать
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 13.3

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 79

Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.0 1,468.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

79 30
Скорость чтения, Гб/сек

3,061.8 13.3
Скорость записи, Гб/сек

1,468.1 10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

422 2306

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston 9965745-002.A00G 16GB

Kingston 9965745-002.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB

Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Kingston 99U5702-101.A00G 8GB

Kingston 99U5702-101.A00G 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB

Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB

модули RAM