RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Сравнить
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
-->
Средняя оценка
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
79
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,468.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
79
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,061.8
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,468.1
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
422
3014
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Сравнения RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link