Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

-->

Средняя оценка

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Причины выбрать
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 17.2

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 79

Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи

17.0 1,468.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

79 30
Скорость чтения, Гб/сек

3,061.8 17.2
Скорость записи, Гб/сек

1,468.1 17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

422 3773

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB

Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB

King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB

Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Kingston 9905702-027.A00G 8GB

Kingston 9905702-027.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB

модули RAM

Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB

Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM