Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB против G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

-->

Средняя оценка

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Причины выбрать
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.5

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 106

Около -342% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.4 2,069.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

106 24
Скорость чтения, Гб/сек

3,273.7 15.5
Скорость записи, Гб/сек

2,069.2 9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

734 2479

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Kingston 9905643-009.A00G 8GB

Kingston 9905643-009.A00G 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston 9905678-005.A00G 8GB

Kingston 9905678-005.A00G 8GB

модули RAM

Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB

Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB

модули RAM

Kingston KHX16 4GB

Kingston KHX16 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB

Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

модули RAM