RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2001
3657
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link