RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2001
2374
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link