RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.8
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
20.6
Скорость записи, Гб/сек
9.3
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
4112
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link