RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.6
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
20.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
4112
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link