RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3153
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link