RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3153
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link