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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
34
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
34
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3153
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
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