RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
122
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
122
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
9.4
Скорость записи, Гб/сек
9.3
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
1411
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link