RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
43
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.3
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
2933
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link