RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
71
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2140
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link