RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
43
Около -95% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.3
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
2611
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link