RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
43
Около -95% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.3
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2285
3075
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link