RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
42
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
19.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
3178
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link