RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
3205
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link