RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
42
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
2831
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link