RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
42
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
3091
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link