RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
42
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
13.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
2267
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link