RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
42
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
24.1
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
24.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
4001
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link