RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.3
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.0
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
11.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
2605
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link