RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
18.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
3463
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link