RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
3026
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link