RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
6.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
13.3
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
13.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
2078
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link