RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
71
Около 41% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
71
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
1902
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link