RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
73
Около 42% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
73
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
1822
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link