RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB против Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
13.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2316
1989
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link