RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2316
1989
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link