RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB против Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
18.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1932
3933
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link