RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
15.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1932
3005
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link