RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
46
Около 43% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
46
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1932
2660
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link