RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB против Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
52
Около 44% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10
9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
5.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
52
Скорость чтения, Гб/сек
9.0
10.0
Скорость записи, Гб/сек
5.7
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1274
2306
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Сравнения RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link