RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.3
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
40
Около -8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
10.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1806
2213
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link