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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
40
Autour de -8% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
37
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1806
2213
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
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