Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    12.3 left arrow 11.9
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 40
    Около -29% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    10.2 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    40 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.3 left arrow 11.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 10.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1806 left arrow 2585
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения