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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
40
左右 -29% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
31
读取速度,GB/s
12.3
11.9
写入速度,GB/s
7.8
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2585
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Frequency (Mhz) *
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