RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
20.2
Скорость записи, Гб/сек
7.7
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
3559
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link