RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
20.2
Скорость записи, Гб/сек
7.7
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
3559
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link