RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
7.7
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2960
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link