RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
7.7
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2960
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link