RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
43
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
15.0
Скорость записи, Гб/сек
7.7
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2637
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link