RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
83
Около 48% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
83
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.7
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
1663
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link