RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
43
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
7.7
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
3166
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link