Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

-->

Средняя оценка

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 43

Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.3 11.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.2 7.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 35
Скорость чтения, Гб/сек

11.4 16.3
Скорость записи, Гб/сек

7.7 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1823 2893

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB

Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Kingston 9905668-001.A00G 8GB

Kingston 9905668-001.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston 9965639-002.A01G 8GB

Kingston 9965639-002.A01G 8GB

модули RAM

Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB

Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB

модули RAM