RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
19.5
Скорость записи, Гб/сек
7.7
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
3757
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link