RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
43
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.6
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
11.6
Скорость записи, Гб/сек
7.7
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2227
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link